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論文

${it In situ}$ synchrotron radiation photoelectron spectroscopy study of the oxidation of the Ge(100)-2$$times$$1 surface by supersonic molecular oxygen beams

吉越 章隆; 寺岡 有殿; 岡田 隆太; 山田 洋一*; 佐々木 正洋*

Journal of Chemical Physics, 141(17), p.174708_1 - 174708_7, 2014/11

https://doi.org/10.1063/1.4900633
 被引用回数：8 パーセンタイル：29.6(Chemistry, Physical)

酸素分子の並進エネルギーを2.2eVまで変えた時のGe(100)2$$times$$1表面の飽和酸化まで表面状態をその場放射光光電子で調べた。飽和吸着酸素量が1モノレイヤー以下であり、Si表面酸化と大きく異なり酸化数が+2までであることが分かった。直接活性化吸着によるGe$$^{2+}$$成分の増加を伴う吸着量の促進を観測した。本研究は室温における酸素吸着プロセスの基礎的理解に貢献する。

口頭

Sub-monolayer oxides on Ge(100) surface fabricated with pure O$$_{2}$$ gas

吉越 章隆; 岡田 隆太; 寺岡 有殿; 山田 洋一*; 佐々木 正洋*

no journal, , 

Geはキャリアー移動度が優れることから次世代電子材料として注目されている。本会議では、O$$_{2}$$ガスによってGe(100)-2$$times$$1表面に室温形成される酸化物とその酸素分子の入射エネルギーによる違いを放射光光電子分光によって研究した結果を報告する。飽和吸着量がモノレイヤー以下であること、Siと大きく異なり酸化物の酸化数が最大で+2であることが分かった。入射エネルギーの増加に伴い、酸素吸着量の増加とともにGe$$^{2+}$$成分の増加が観測された。これらの知見はサブモノレイヤーのGe酸化物を精密に形成するうえで有用である。

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